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每瓦姓能高出63__Intel“2nm”工藝紙

放大字體  縮小字體 發布日期:2023-03-23 20:34:40    作者:葉欣儀    瀏覽次數:83
導讀

大家都知道Intel的4年搞定5代CPU工藝的戰略了,這個過程中最重要的提升就是20A及18A兩代工藝,將在2024年上半年、下半年準備就緒,相當于友商的2nm及1.8nm工藝,比臺積電的進度要快2年。Intel的目標是在2025年實現重

大家都知道Intel的4年搞定5代CPU工藝的戰略了,這個過程中最重要的提升就是20A及18A兩代工藝,將在2024年上半年、下半年準備就緒,相當于友商的2nm及1.8nm工藝,比臺積電的進度要快2年。

Intel的目標是在2025年實現重返半導體工藝領先地位,能不能成功的關鍵就看20A及18A了。

從技術上來說,20A及18A不僅是首款進入埃米節點的工藝,還會首發兩大突破性技術,也就是RibbonFET和PowerVia,其中RibbonFET是Intel對Gate All Around晶體管的實現,它將成為公司自2011年率先推出FinFET以來的首個全新晶體管架構。

該技術加快了晶體管開關速度,同時實現與多鰭結構相同的驅動電流,但占用的空間更小。

PowerVia是Intel獨有的、業界首個背面電能傳輸網絡,通過消除晶圓正面供電布線需求來優化信號傳輸。

最終到底如何?以20A為例,它的每瓦性能比Intel 3高出15%,后者又比Intel 4高出18%,Intel 4又比當前的Intel 7工藝提升20%的每瓦性能,算下來20A比當前的13代酷睿能效高出63%以上。

如此夸張的能效下,有網友計算了下,這就意味著當前250W酷睿i9-13900K的性能當時候至需要90W即可,不需要高功耗就能實現強大性能釋放,對筆記本來說尤其重要。

當然,這些還是20A工藝的紙面性能,具體如何還要等產品上市,首發20A工藝的應該是15代酷睿Arrow Lake了,明年上市。

 
(文/葉欣儀)
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